拓荊科技擬斥資超 17 億元建設(shè)高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地 加碼產(chǎn)能布局賦能半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化

    9 月 12 日，科創(chuàng)板上市公司拓荊科技（證券代碼：688072）發(fā)布 2025 年度向特定對象發(fā)行 A 股股票募集資金使用可行性分析報告。公司擬合計募集不超過 46 億元資金，其中 15 億元將專項用于 “高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”，疊加首次公開發(fā)行募集資金已投入的 2.68 億元，該基地總投資將達 17.68 億元，旨在打造規(guī)�；�、智能化、數(shù)字化的高端半導體設(shè)備生產(chǎn)基地，緩解產(chǎn)能瓶頸，助力我國半導體設(shè)備國產(chǎn)化替代進程。

    項目落地沈陽渾南：聚焦薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)能升級

    據(jù)公告披露，“高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目” 選址于遼寧省沈陽市渾南區(qū)，將新建生產(chǎn)潔凈間、立體庫房、測試實驗室等核心設(shè)施，并引入先進生產(chǎn)配套軟硬件。項目核心目標是大幅提升拓荊科技在高端半導體設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)能，重點支撐 PECVD（等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備）、SACVD（亞常壓化學氣相沉積設(shè)備）、HDPCVD（高密度等離子體化學氣相沉積設(shè)備）等薄膜沉積設(shè)備系列產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力。

    值得關(guān)注的是，該項目并非全新啟動 —— 此前拓荊科技已計劃以 11 億元總投資推進該基地建設(shè)，其中 2.68 億元來自首次公開發(fā)行募集資金�；�于下游市場需求激增及公司業(yè)務(wù)發(fā)展實際需要，公司決定將項目總投資提升至 17.68 億元，原擬自籌的 8.32 億元（截至公告日尚未投入）調(diào)整為由本次募集資金覆蓋，進一步加大對產(chǎn)能建設(shè)的投入力度。

    截至目前，公司已取得項目用地的不動產(chǎn)權(quán)證書（編號：遼 (2024) 沈陽市不動產(chǎn)權(quán)第 0293529 號、遼 (2024) 沈陽市不動產(chǎn)權(quán)第 0293532 號），并簽訂總包施工合同，投資項目備案、環(huán)評等程序正在有序辦理中，為項目順利推進奠定合規(guī)基礎(chǔ)。

    三重必要性凸顯：響應(yīng)政策、承接需求、強化優(yōu)勢

    在全球半導體產(chǎn)業(yè)格局調(diào)整與國內(nèi) “自主可控” 戰(zhàn)略推動下，該產(chǎn)業(yè)化基地項目的實施具有明確且迫切的現(xiàn)實意義，主要體現(xiàn)在三方面：

    1. 響應(yīng)國家戰(zhàn)略，破解產(chǎn)業(yè)鏈安全隱患

    當前我國集成電路領(lǐng)域高端半導體設(shè)備自給率較低，海外龍頭企業(yè)憑借技術(shù)沉淀與布局優(yōu)勢占據(jù)主導地位，在全球貿(mào)易摩擦背景下，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈安全面臨挑戰(zhàn)。國家近年密集出臺鼓勵政策，推動半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。作為國內(nèi)半導體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，拓荊科技建設(shè)該基地，將形成行業(yè)正面示范效應(yīng)，助力提升我國高端半導體設(shè)備國產(chǎn)化率，增強產(chǎn)業(yè)鏈韌性。

    2. 承接市場紅利，緩解產(chǎn)能緊張壓力

    受益于人工智能（AI）、高性能計算等新興領(lǐng)域需求拉動，全球晶圓廠持續(xù)加大資本開支、擴充產(chǎn)能，直接帶動高端半導體設(shè)備需求激增。財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2022-2024 年拓荊科技營業(yè)收入從 17.06 億元增至 41.03 億元，年復合增長率達 55.08%，業(yè)務(wù)規(guī)�？焖贁U張的同時，產(chǎn)能利用率已處于較高水平。隨著下游訂單持續(xù)增長與芯片工藝迭代，現(xiàn)有產(chǎn)能已難以滿足未來需求，基地建成后將有效緩解產(chǎn)能瓶頸，支撐公司可持續(xù)增長。

    3. 聚焦核心領(lǐng)域，鞏固技術(shù)競爭壁壘

    薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造三大核心設(shè)備之一，也是拓荊科技的核心優(yōu)勢業(yè)務(wù)。目前公司已完成 PECVD、ALD、SACVD 等多系列薄膜設(shè)備研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)，多個新產(chǎn)品已進入客戶工藝驗證階段。本次基地建設(shè)將針對高端工藝需求擴產(chǎn)，并通過智能化設(shè)施提升生產(chǎn)效率，更好滿足市場對高性能薄膜沉積設(shè)備的需求，進一步鞏固公司在細分領(lǐng)域的核心競爭力。

    三大可行性支撐：市場、技術(shù)、客戶全方位保障

    對于項目落地能力，拓荊科技從市場空間、生產(chǎn)經(jīng)驗、客戶資源三方面提供了明確保障，確保項目 “能落地、見效益”：

    1. 廣闊市場空間為產(chǎn)能釋放 “托底”

    據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）預(yù)測，全球 300mm 晶圓廠設(shè)備投資 2025 年將增長 20% 至 1165 億美元，2026 年再增 12% 至 1305 億美元；中國大陸市場 2025-2027 年每年設(shè)備投資規(guī)模將保持在 300 億美元以上，持續(xù)引領(lǐng)全球。作為半導體設(shè)備的重要細分領(lǐng)域，薄膜沉積設(shè)備全球銷售額占比約 22%，疊加芯片工藝迭代帶來的設(shè)備需求升級，為基地產(chǎn)能消化提供充足市場空間。

    2. 成熟生產(chǎn)經(jīng)驗為項目建設(shè) “護航”

    作為國內(nèi)較早布局薄膜沉積設(shè)備的廠商，拓荊科技已積累豐富的規(guī)�；�生產(chǎn)經(jīng)驗：在技術(shù)端，公司持續(xù)推進 PECVD 工藝迭代，拓展 ALD、HDPCVD 等產(chǎn)品矩陣，覆蓋 100 余種高端工藝應(yīng)用；在管理端，建立了生產(chǎn)過程、質(zhì)量狀態(tài)、資源情況的實時監(jiān)控體系，實現(xiàn)生產(chǎn)效率與質(zhì)量雙提升。成熟的技術(shù)工藝與管理體系，將確�；�地快速實現(xiàn)規(guī)�；�、智能化生產(chǎn)。

    3. 優(yōu)質(zhì)客戶資源為產(chǎn)品銷售 “鋪路”

    目前拓荊科技已與國內(nèi)主流晶圓廠建立穩(wěn)定合作關(guān)系，設(shè)備進入超過 70 條生產(chǎn)線，且在客戶端產(chǎn)線運行穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)異。針對客戶定制化需求，公司具備快速響應(yīng)能力，贏得廣泛認可。良好的客戶基礎(chǔ)將加速基地新增產(chǎn)能的產(chǎn)品驗證與銷售，降低市場風險。

    5 年建設(shè)期推進產(chǎn)能落地 賦能公司長期發(fā)展

    根據(jù)規(guī)劃，該產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)期為 5 年，自 2024 年起已借助首次公開發(fā)行募集資金啟動建設(shè)，后續(xù)將按 “土地購置 — 工程建設(shè) — 軟硬件購置 — 生產(chǎn)線試運行 — 產(chǎn)線投產(chǎn)” 的節(jié)奏逐步推進。從投資結(jié)構(gòu)看，項目 17.68 億元總投資中，工程建設(shè)費用占比 91.41%（含場地建造、軟硬件購置等），基本預(yù)備費與鋪底流動資金分別占 1.83%、6.76%，資金分配聚焦核心生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)，保障項目投產(chǎn)后快速形成有效產(chǎn)能。

    拓荊科技表示，本次高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)，是公司響應(yīng)國家戰(zhàn)略、承接市場需求的關(guān)鍵布局。項目建成后，將顯著提升公司核心產(chǎn)品產(chǎn)能，強化技術(shù)與市場優(yōu)勢，進一步鞏固行業(yè)地位；同時，也將為我國半導體設(shè)備國產(chǎn)化替代提供 “產(chǎn)能支撐”，助力產(chǎn)業(yè)鏈自主可控水平提升。公司董事會強調(diào)，項目符合公司戰(zhàn)略與全體股東利益，具備必要性與可行性，將為公司長期盈利能力與可持續(xù)發(fā)展注入強勁動力。