北方華創(chuàng)發(fā)布首款離子注入機Sirius MC 313，拓展半導體制造裝備版圖

    3月26日，在SEMICON China 2025大會上，北方華創(chuàng)正式宣布進軍離子注入設備市場，并發(fā)布首款離子注入機Sirius MC 313。此舉標志著公司在半導體核心裝備的戰(zhàn)略布局上邁出了重要一步。

    在芯片制造流程里，除了備受關注的光刻、刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)，離子注入設備同樣占據(jù)著極為關鍵的地位。離子注入設備能夠以極高的精度和效率，將特定元素的帶電離子注入半導體材料，從而精準改變材料的電性能，為芯片制造提供不可或缺的技術支撐。其工作原理是先通過離子源產生所需離子，在電場作用下加速至預定能量，再精確注入半導體材料，實現(xiàn)原子的替換或添加，進而調控材料性能。

    據(jù)國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)，2024 年全球離子注入設備市場規(guī)模達 276 億元，至 2030 年有望攀升至 307 億元。北方華創(chuàng)此次進軍離子注入裝備領域，將撬動國內 160 億元的市場空間，有力推動中國半導體裝備在高端市場實現(xiàn)進階發(fā)展。

    憑借二十余年在半導體設備研發(fā)領域的深耕，北方華創(chuàng)在等離子體控制、電磁場控制、射頻技術、嵌入式開發(fā)、算法及仿真等關鍵技術領域積累了深厚的技術積淀。公司成功構建了涵蓋刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗等四大類、三百余款裝備的全面技術平臺。與此同時，公司持續(xù)布局新技術領域，在離子注入設備的束流控制、調束算法、劑量精準控制等關鍵技術方面取得多項突破，自主開發(fā)出具備能量精度高、劑量均勻性好、注入角度控制精度高等特性的高端離子注入設備。

    展望未來，北方華創(chuàng)將以實現(xiàn)離子注入設備全品類布局為目標，推動離子注入設備全面覆蓋邏輯、存儲、特色工藝及化合物半導體等領域。北方華創(chuàng)將持續(xù)加大研發(fā)投入，為客戶提供高性能、高可靠性的離子注入解決方案，為國內半導體裝備產業(yè)注入新活力，推動產業(yè)技術進步和發(fā)展，助力中國半導體產業(yè)在全球競爭格局中實現(xiàn)更大跨越。