大阪大學采用涂布法制成載流子遷移率達5cm2/Vs的有機TFT

　　日本大阪大學研究生院理學研究系化學專業(yè)副教授竹谷純一的研究小組采用涂布法制成了載流子遷移率高達5cm2/Vs的有機薄膜晶體管（TFT）。該大學在“nano tech 2010（國際納米科技綜合展）”（2月17日～19日）的日本新能源產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）展區(qū)內(nèi)，展示了這一成果。

　　大阪大學發(fā)現(xiàn)在硅底板上設置具有長方形截面的結構物時，滴落的有機液體會以結構物的截面為基點（生長核），朝著遠離截面的方向均勻固化的現(xiàn)象。大阪大學表示，利用這一現(xiàn)象，“能夠?qū)崿F(xiàn)使用以往的生長核位置隨機確定的涂布法難以實現(xiàn)的高品質(zhì)有機單晶體”。

　　大阪采用這種方法，制成了柵極長為100μm的有機TFT。這種TFT具有p型傳導特性，載流子遷移率為5cm2/Vs，開關比為105。只采用涂布法形成了通道，電極等則采用普通的氣相法形成。通道材料中使用了將BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有機液體。

　　硅底板上的結構物采用了硅切片，不過還可采用像曝光抗蝕劑一樣與TFT制造工序具有較高親和性的材料。大阪大學表示，今后將面向顯示器驅(qū)動等用途推進TFT的陣列化，同時“驗證可在柔性底板上實現(xiàn)何種性能”。