華引芯企校聯(lián)合研究中心前沿項(xiàng)目發(fā)布最新研究成果

來源:投影時(shí)代 更新日期:2024-04-03 作者:pjtime資訊組

    近期,《自然·通訊》(Nature Communications)在線刊發(fā)“華中科技大學(xué)-華引芯(武漢)科技有限公司 新型半導(dǎo)體顯示光源聯(lián)合研究中心”題目為“Boosting the electron beam transmittance of field emission cathode using a self-charging gate”研究成果。

    電子束聚焦技術(shù)可以通過外加電場或磁場實(shí)現(xiàn),具有高分辨率、精密控制、非接觸加工和適用范圍廣的特點(diǎn)。這一技術(shù)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的芯片制造、納米加工領(lǐng)域的納米結(jié)構(gòu)制備、光刻領(lǐng)域的光罩制作以及光源領(lǐng)域中的顯示成像。

    如圖所示,研究團(tuán)隊(duì)在器件表面沉積了一層駐極體材料氮化硅(SiNx),SiNx駐極體內(nèi)部的Si3+陷阱中心可以實(shí)現(xiàn)對電子的捕獲和穩(wěn)定存儲(chǔ)。當(dāng)電子發(fā)射到器件表面后,器件會(huì)捕獲電子進(jìn)行充電,充電后的器件表面帶負(fù)電,從而可以實(shí)現(xiàn)對后續(xù)電子的穩(wěn)定聚焦效果。不同于傳統(tǒng)的電子束聚焦方案,這種新型的電子束聚焦方案不需要引入額外的靜電場或磁場,為實(shí)現(xiàn)對電子束的精準(zhǔn)控制提供了新的可能,在微納制造領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。

華引芯企校聯(lián)合研究中心前沿項(xiàng)目發(fā)布最新研究成果

基于SiNx駐極體的電子束聚焦原理和器件結(jié)構(gòu)

    該工作在華中科技大學(xué)光電學(xué)院與引力中心實(shí)驗(yàn)平臺(tái)共同完成,得到了國家自然科學(xué)基金和華中科技大學(xué)-華引芯(武漢)科技有限公司 新型半導(dǎo)體顯示光源聯(lián)合研究中心項(xiàng)目的資助。

    論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41467-024-45142-0

    本篇轉(zhuǎn)載自華中科技大學(xué)光電學(xué)院

 標(biāo)簽:專顯上游 行業(yè)新聞
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