華盛頓大學研制出世上最薄的LED

    近日，據(jù)國外媒體報道，華盛頓大學宣布他們已經(jīng)研制出世上最薄的LED，其只有三個原子的厚度，是目前已有技術(shù)能做到的最薄LED了。其重點成份為二硒化鎢（tungsten diselenide），是已知最薄的半導體。一片這樣的物料只有傳統(tǒng)LED不到十分之一的厚度，但依然可以發(fā)出可見的亮度。

    另外，它也很有彈性和堅固的。理論上，它可以應用于光學電路和納米激光器等講求細小的科技上，同時，它也當然有潛力用在現(xiàn)時斗薄斗輕的行動裝置上吧，特別是最近熱門的可穿戴式裝置。