日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)2011年7月與韓國(guó)三星電子就使用氧化物半導(dǎo)體的“IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT”技術(shù)專利簽署了授權(quán)協(xié)議。該技術(shù)基于東京工業(yè)大學(xué)應(yīng)用陶瓷研究所教授細(xì)野秀雄的研究小組1995年開始開發(fā)的“透明氧化物半導(dǎo)體(TAOS)”。
IGZO TFT是實(shí)現(xiàn)具有超高精細(xì)、高速驅(qū)動(dòng)及柔性等特點(diǎn)的新一代顯示器的核心技術(shù)之一,日本國(guó)內(nèi)外的面板廠商正在進(jìn)行激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)(圖2)。這是因?yàn)镮GZO TFT的載流子遷移率高達(dá)非晶硅型TFT的數(shù)十倍,而且很少產(chǎn)生制造偏差。另外,IGZO能夠采用低溫工藝,還可考慮在基本室溫下于樹脂基板上制作TFT。除了三星之外,最近夏普、日本半導(dǎo)體能源研究所(SEL)及東芝等也加入了實(shí)用化競(jìng)爭(zhēng)。
此次向三星提供授權(quán)的專利技術(shù)基于細(xì)野在JST的支持下取得的研發(fā)成果。細(xì)野自己的專利以及JST擁有的專利廣泛涉及材料成分、設(shè)備及制造工藝等,共有數(shù)十項(xiàng)。除了在JST的支持下獲得的專利之外,東京工業(yè)大學(xué)與佳能共同取得的專利也有“10項(xiàng)左右”。此次將把這50多項(xiàng)專利打包提供給三星。
正是因?yàn)槿菍@诺靡詫?shí)用化
此次的專利基于在日本政府資助下取得的研究成果,JST宣布向三星提供專利授權(quán)之后,引起了不同反響,其中不乏指責(zé)之聲。細(xì)野對(duì)此作出了以下解釋:①與三星簽署的協(xié)議沒有排他性,授權(quán)大門同樣向日本國(guó)內(nèi)企業(yè)敞開,②如果沒有三星的話,辛苦開發(fā)出來(lái)的IGZO TFT就有可能無(wú)法實(shí)用化。
第②點(diǎn)尤其重要,細(xì)野就此高度評(píng)價(jià)了三星公司的研發(fā)能力與管理層的投資判斷力。據(jù)說細(xì)野2004年在英國(guó)的學(xué)術(shù)雜志《自然》上發(fā)表IGZO TFT相關(guān)論文時(shí),日本大型面板廠商的反應(yīng)十分遲鈍!翱吹秸撐暮罅⒓磁c我們聯(lián)系的企業(yè)是佳能、凸版印刷、韓國(guó)LG電子以及三星的研發(fā)部門——三星尖端技術(shù)研究所(SAIT)”。
圖1:從倡導(dǎo)這項(xiàng)技術(shù)到實(shí)用化共花費(fèi)了16年的時(shí)間與東京工業(yè)大學(xué)的細(xì)野研究小組開發(fā)的氧化物半導(dǎo)體專利及開發(fā)相關(guān)的事件。紅字為細(xì)野直接參與的事件。