KIST開發(fā)使用太赫茲波檢查OLED發(fā)射器的無損方法

    據(jù)韓國媒體報道，韓國科學技術研究院 (KIST)的研究人員提出了一種使用太赫茲波光譜檢查OLED發(fā)射器材料的新方法。

    研究人員表示，這種方法可用于分析OLED的傳輸特性，而不會對材料造成任何損壞。這與當前的熒光測試方法不同，因為紫外線會改變其特性，從而對OLED造成損害。

    更準確的檢測方法可以幫助開發(fā)人員提高OLED材料的性能，因其可以比現(xiàn)有方法更準確地分析OLED設備的性能退化。