法國(guó)發(fā)表3D塔技術(shù)可令光盤(pán)容量翻番

    4月19日消息，法國(guó)一個(gè)研究小組近日發(fā)表了一項(xiàng)研究成果，通過(guò)將磁性媒體分解成小碎塊并建立“3D塔”(3D Towers)結(jié)構(gòu)，從而可以令信息磁錄密度（areal density）翻番。這項(xiàng)技術(shù)可以有效增大磁性存儲(chǔ)設(shè)備的容量，并可突破現(xiàn)有技術(shù)的物理限制。研究小組將研究成果發(fā)表在美國(guó)物理學(xué)會(huì)（the American Institute of Physics）的Journal of Applied Physics雜志上。

    格勒諾布爾SPINTEC研究人員Jerome Moritz稱：“過(guò)去的50年，伴隨多媒體設(shè)備、因特網(wǎng)的興起，以及對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求提升，磁性硬盤(pán)設(shè)備的信息磁錄密度以7個(gè)數(shù)量級(jí)的速度增長(zhǎng)�，F(xiàn)有技術(shù)的磁錄密度達(dá)到500Gbit/in2，采用顆粒狀磁性材料錄制信息。該技術(shù)目前達(dá)到了某種物理極限，原因是這些顆粒太小了，以至于磁性變得不穩(wěn)定，寫(xiě)在上面的信息會(huì)逐漸消失掉。”

    因此，研究人員期待有更新的途徑，可以將磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度突破1Tbit/in2的大關(guān)。

    “我們的新方法采用比特格式媒介（bit-patterned media），即物理分離的磁性納米點(diǎn)陣列，每個(gè)納米點(diǎn)（nanodots）攜帶1bit信息。為了進(jìn)一步擴(kuò)大存儲(chǔ)密度，通過(guò)堆迭多個(gè)磁層而創(chuàng)建多層磁性記錄設(shè)備，來(lái)達(dá)到增加每個(gè)點(diǎn)攜帶更多bit信息的目的�！�

    據(jù)此，Moritz和同事可以解釋要達(dá)到每點(diǎn)（dot）攜帶2bit信息的最佳方法為在每個(gè)點(diǎn)上平面堆迭（staking in-plane）和垂直于平面（perpendicular-to-plane）堆迭磁性媒體。其中，垂直磁層可先于點(diǎn)而被讀取，平面磁層可于點(diǎn)同時(shí)被讀取。這樣一來(lái)，就可以通過(guò)更好地利用整體格式媒體區(qū)域而令特定光點(diǎn)尺寸（dot size）磁錄密度翻番了。