DIY硬件菜鳥(niǎo)學(xué)堂：固態(tài)硬盤的前世今生

    我們可以買到的固態(tài)硬盤

    過(guò)去的2011年，各路固態(tài)硬盤廠商如雨后春筍般的冒了出來(lái)，如今有Intel、鎂光、OCZ、威剛、浦科特、金士頓、奧瑞科、金勝等數(shù)十家。各路品牌意味著市面上我們能夠買到的固態(tài)硬盤產(chǎn)品也是琳瑯滿目。

固態(tài)硬盤內(nèi)部拆解

    從上圖可以看到，固態(tài)硬盤的PCB板是由閃存顆粒、1顆控制芯片及1顆緩存芯片組成。所以主控芯片和閃存顆粒成為了固態(tài)硬盤的決定性因素（因?yàn)橛行┲骺胤桨覆恍枰�緩存顆粒，因此緩存顆粒不構(gòu)成決定性因素），也是我們消費(fèi)者購(gòu)買固態(tài)硬盤首先要考慮的。

    關(guān)于主控芯片

    可以看到，SandForce的主控芯片憑借著出色的性價(jià)比依舊在主流市場(chǎng)上占據(jù)著十分大的份額，Intel主控芯片擁有先進(jìn)的性能受到專業(yè)用戶和企業(yè)用戶的喜愛(ài)，而更高端還有Marvell的高性能產(chǎn)品坐鎮(zhèn)，幾大芯片廠商都在不斷嘗試為自己的芯片產(chǎn)品尋找最合適的定位。在研發(fā)力度上，支持原生SATA6Gbps的主控有Marvell、SandForce和Indilinx三家。

    關(guān)于閃存顆粒

閃存芯片

    除了主控芯片和緩存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND閃存：

    1.SLC全稱是單層式儲(chǔ)存 (Single Level Cell），因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長(zhǎng)，傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬(wàn)次的讀寫。而且因?yàn)橐唤M電壓即可驅(qū)動(dòng)，所以其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。

    2.MLC全稱是多層式儲(chǔ)存（Multi Leveled Cell），它采用較高的電壓驅(qū)動(dòng)，通過(guò)不同級(jí)別的電壓在一個(gè)塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的MLC NAND閃存，其最大的特點(diǎn)就是以更高的存儲(chǔ)密度換取更低的存儲(chǔ)成本，從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過(guò)，MLC的缺點(diǎn)也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬(wàn)次。

閃存顆粒

    除了MLC/SLC的區(qū)別，目前固態(tài)硬盤采用的閃存顆粒還有著25/34nm制程、同步/異步、ONFI/Toggle Mode等等不同。不同閃存顆粒數(shù)據(jù)傳輸率有著很大的差異，異步ONFI顆粒只有50MT/s（Intel或者M(jìn)icron早期顆粒），同步ONFI 2.x顆粒則可以達(dá)到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或者M(jìn)icron顆粒），異步Toggly DDR 1.0顆粒也可以達(dá)到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或者Samsung顆粒）。因此在通道數(shù)相同的前提下，閃存顆粒傳輸率更高的固態(tài)硬盤更容易突破500MB/s的持續(xù)讀取速度。