6月4日,由壹倍科技自主研發(fā)的襯底/外延缺陷檢測設備α-INSPEC U1000正式交付光電行業(yè)頭部客戶。此次交付意義重大,不僅是壹倍在化合物半導體前道檢測領域的重要拓展,更是為行業(yè)客戶提供全鏈條檢測解決方案(覆蓋襯底-外延-COW晶圓制造-COC巨量轉(zhuǎn)移-Panel模組)的又一成功案例。
1. 解決產(chǎn)業(yè)痛點,全面助力客戶量產(chǎn)升級
在MicroLED的生產(chǎn)制造流程中,襯底和外延是晶圓圖案化的前序工藝,屬于無圖形場景,其缺陷檢測的重要性和技術難度容易被忽視。傳統(tǒng)LED芯片廠中通常采用人工目檢或顯微鏡抽檢,部分雖引入AOI檢測,但精度有限,僅能檢出表面較明顯的臟污、大顆粒等缺陷。 隨著MicroLED產(chǎn)業(yè)邁入量產(chǎn),業(yè)界對于晶圓良率和成本的要求越來越高。而大量的LED芯粒后道失效問題往往來源于最初的襯底表面缺陷或外延層生長不良。特別是隨著芯粒尺寸越來越小,甚至降至10μm以下(如AR微顯示應用),其對于外延層缺陷的敏感度越來越高,且存在多種類型的亞表面晶體缺陷,這些缺陷采用傳統(tǒng)檢測手段無法檢出。 在此行業(yè)背景下,產(chǎn)業(yè)亟需更有效的檢測手段,從而識別出全部的致命缺陷。壹倍深知,只有結合高精度明場、暗場及光致發(fā)光等多種光學檢測手段,并借助更高效的圖像算法才能攻克這一難題。通過提高襯底/外延段缺陷的檢測能力,從而揭示材料生長階段關鍵缺陷的分布情況,再結合后道工藝數(shù)據(jù),構建起一套更為系統(tǒng)、完備的器件失效傳遞機制。
2. 技術突破、優(yōu)勢明顯、定義行業(yè)新標準
壹倍科技此次出機的設備α-INSPEC U1000可廣泛應用于化合物半導體襯底及外延片的表面和晶體缺陷檢測。該設備采用顯微光致發(fā)光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場成像及寬光譜PL成像技術,實現(xiàn)透明樣品的無接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出,提供不同維度檢測的缺陷Mapping、外延與器件疊圖Mapping與分區(qū)分bin良率統(tǒng)計結果。該產(chǎn)品具有以下顯著優(yōu)勢:
1)多通道并行掃描,可更全面診斷晶圓缺陷:
自主研發(fā)核心光機,具備高精度、高靈敏度、高通量的檢測能力
有多家海外設備數(shù)據(jù)對標基礎
2) 兼容RGB不同材料體系檢測:
支持不同發(fā)光波長材料GaAs、InGaN等化合物半導體材料的亞表面晶體缺陷檢測
3) 從襯底到外延到器件,支持疊圖和數(shù)據(jù)合檔,提供更清晰的良率管理路徑:
按照芯片進行良率分區(qū)統(tǒng)計,更直接反映對下游芯片影響
支持自定義超3000萬個分區(qū)
應用于微顯示場景的2*2mm 分區(qū)統(tǒng)計,
4inch晶圓~1000顆
應用于直顯場景的50*50 um MicroLED分區(qū)統(tǒng)計,
4inch晶圓~300w顆
3. 國產(chǎn)替代,邁向全球市場
過去幾年,壹倍科技陸續(xù)推出用于MicroLED行業(yè)的PL設備M1070p和AOI設備M107XA,基本覆蓋了COW晶圓制造、COC巨量轉(zhuǎn)移等關鍵環(huán)節(jié)。然而,國內(nèi)針對MicroLED襯底/外延的高端缺陷檢測設備依然空白,目前國際上僅有少數(shù)廠商如美國科磊等具有相應產(chǎn)品,但仍缺乏專用于MicroLED場景的系統(tǒng)架構優(yōu)化和大量實踐數(shù)據(jù)積累。本次交付的U1000向更上游的襯底/外延環(huán)節(jié)進行了延伸,代表著壹倍科技已經(jīng)實現(xiàn)MicroLED前道全流程良率管控,為行業(yè)快速發(fā)展提供有效且完整的產(chǎn)品方案。
在核心技術研發(fā)方面,壹倍科技建立了完整的自主創(chuàng)新體系,核心專利技術覆蓋了設備的光學系統(tǒng)、圖像處理算法、軟件架構等關鍵環(huán)節(jié),目前整體自主化率已達到 90%以上。自成立以來,壹倍科技持續(xù)積極探索“技術共研+生態(tài)共建”的創(chuàng)新模式,憑借著在檢測設備領域的顯著優(yōu)勢,已與40多家客戶完成打樣工作,業(yè)務觸角延伸至海內(nèi)外120多家客戶,基本觸達了該領域所有的頭部廠商,包含LED芯片廠、巨量轉(zhuǎn)移廠、面板廠、AR微顯示模塊制造廠等,成功實現(xiàn)了與產(chǎn)業(yè)鏈的深度融合,為行業(yè)不斷帶來新的技術和產(chǎn)品。