重慶康佳光電多項(xiàng)MLED專利授權(quán)

    01發(fā)明名稱：Superlattice layer, LED epitaxial structure, display device, and method for manufacturing LED epitaxial structure

    授權(quán)公告號(hào)：US12057521B2

    專利權(quán)人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權(quán)類型：美國(guó)發(fā)明

    授權(quán)日：2024-08-06

    專利摘要：

    This disclosure relates to a superlattice structure, an LED epitaxial structure, a display device, and a method for manufacturing the LED epitaxial structure. The superlattice structure includes at least two superlattice units which are grown in stacking layers. Each of the at least two superlattice units includes a first n-type GaN layer, a second n-type GaN layer, a first n-type GaInN layer, and a second n-type GaInN layer which are grown in stacking layers. The first n-type GaN layer has a doping concentration which is constant along a growth direction, the second n-type GaN layer has a doping concentration which gradually increases along the growth direction, the first n-type GaInN layer has a doping concentration which gradually decreases along the growth direction, and the second n-type GaInN layer has a doping concentration which is constant along the growth direction。

    解決的技術(shù)問題：現(xiàn)有的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)面臨著藍(lán)寶石襯底與LED外延層之間嚴(yán)重的晶格失配問題,導(dǎo)致多量子阱區(qū)域中出現(xiàn)應(yīng)變誘導(dǎo)位錯(cuò)和V形缺陷,從而影響發(fā)光特性。

    技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)：通過引入了超晶格層,該超晶格層由具有特定摻雜濃度和 n 型 GaN 和 GaInN 層厚度的多個(gè)單元組成,在堆疊層中生長(zhǎng)以減少應(yīng)變和位錯(cuò),并開發(fā)了包含該超晶格層以及其他層的 LED 外延結(jié)構(gòu) 以增強(qiáng)發(fā)光性能。

    技術(shù)效果：提高LED的發(fā)光性能。

    該專利可應(yīng)用到的產(chǎn)品：Micro LED外延、Micro-LED芯片以及應(yīng)用該Micro-LED芯片的顯示類產(chǎn)品。

    02 發(fā)明名稱：轉(zhuǎn)移裝置及其制作方法、檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置

    授權(quán)公告號(hào)：CN115452714B

    專利權(quán)人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權(quán)類型：中國(guó)發(fā)明

    授權(quán)日：2025-04-15

    專利摘要：

    本申請(qǐng)公開了一種轉(zhuǎn)移裝置及其制作方法、檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置，轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移頭，轉(zhuǎn)移頭的凸起上形成有膠體晶體層，基于膠體晶體微球結(jié)構(gòu)的布拉格反射作用可以呈現(xiàn)不同光顏色的特性，根據(jù)各凸起上的膠體晶體層反射出的光確定凸起是否異常，從而可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移頭上是否出現(xiàn)異常凸起的檢測(cè)。

    解決的技術(shù)問題：因凸起式轉(zhuǎn)移頭在循環(huán)往復(fù)受熱受壓力過程中容易發(fā)生不可恢復(fù)的形變或受損缺失，導(dǎo)致凸起的平整性變化，無法有效檢測(cè)并避免異常凸起導(dǎo)致的芯片轉(zhuǎn)移失敗或不合格。

    技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)：通過在轉(zhuǎn)移頭的凸起上形成膠體晶體層，該膠體晶體層包括有序排列的膠體晶體微球，利用膠體晶體微球結(jié)構(gòu)的布拉格反射作用，通過光的反射特性來檢測(cè)凸起是否異常。

    技術(shù)效果：實(shí)現(xiàn)了對(duì)凸起式轉(zhuǎn)移頭上是否出現(xiàn)異常凸起的有效檢測(cè)，避免了異常凸起導(dǎo)致的芯片轉(zhuǎn)移失敗或不合格的情況，提高了轉(zhuǎn)移過程的可靠性和良品率。

    該專利可應(yīng)用到的產(chǎn)品：Micro LED顯示類產(chǎn)品。

    03 發(fā)明名稱：一種LED陣列擴(kuò)張檢測(cè)裝置及擴(kuò)張方法

    授權(quán)公告號(hào)：CN113496907B

    專利權(quán)人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權(quán)類型：中國(guó)發(fā)明

    授權(quán)日：2025-02-18

    專利摘要：

    本發(fā)明公開了一種LED陣列檢測(cè)裝置，其包括：承載膜，呈陣列排布的LED芯片粘附于所述承載膜上；拉伸設(shè)備，設(shè)置于所述承載膜的邊緣，用于拉伸所述承載膜；金屬薄片設(shè)置于LED陣列中同一行或列相鄰的LED芯片側(cè)面，相鄰所述LED芯片相對(duì)應(yīng)的側(cè)面設(shè)置的兩片所述金屬薄片為一對(duì)；電壓施加器，用于向相鄰金屬薄片施加電壓；電容檢測(cè)單元，分別連接成對(duì)的金屬薄片，用于檢測(cè)相鄰金屬薄片間的電容值；控制器，與所述電容檢測(cè)器電連接，用于根據(jù)所述電容值計(jì)算對(duì)應(yīng)LED芯片間距，LED芯片間距達(dá)到閾值時(shí)向拉伸設(shè)備發(fā)出拉伸或停止拉伸的信號(hào)。該裝置可以準(zhǔn)確測(cè)量LED芯片之間的間距。

    解決的技術(shù)問題：在Micro-LED顯示器的制作過程中，如何快速、準(zhǔn)確地調(diào)整LED芯片的間距以適應(yīng)不同尺寸的顯示背板，尤其是在LED芯片尺寸越來越小的情況下，轉(zhuǎn)移難度顯著增加。

    技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)：通過在LED芯片之間設(shè)置金屬薄片，并利用電容檢測(cè)單元實(shí)時(shí)檢測(cè)電容值，計(jì)算LED芯片間距，當(dāng)達(dá)到閾值時(shí)停止拉伸，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的間距調(diào)整。

    技術(shù)效果：實(shí)現(xiàn)了對(duì)LED芯片間距的精確檢測(cè)和調(diào)整，簡(jiǎn)化了過程，提高了效率，特別是在LED芯片尺寸小的情況下，能夠準(zhǔn)確得到擴(kuò)晶后的LED芯片間距。

    該專利可應(yīng)用到的產(chǎn)品：Micro-LED芯片以及應(yīng)用該Micro-LED芯片的顯示類產(chǎn)品。

    04 發(fā)明名稱：用于封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝治具及封裝方法

    授權(quán)公告號(hào)：CN114038763B

    專利權(quán)人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權(quán)類型：中國(guó)發(fā)明

    授權(quán)日：2025-02-18

    專利摘要：

    本發(fā)明提供了一種用于封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝治具，包括注膠定位治具，該注膠定位治具包括基座和蓋板，基座開設(shè)有用于收容固定基板的凹槽，蓋板蓋設(shè)于基座時(shí)，密封覆蓋基板的外圍部，蓋板開設(shè)有通孔，用于使得置晶區(qū)及LED陣列外露于蓋板，并用于在對(duì)LED結(jié)構(gòu)注入封裝膠時(shí)，供封裝膠從通孔注入而覆蓋LED芯片陣列以及置晶區(qū)，其中，通過蓋板密封覆蓋基板的外圍部，封裝膠從通孔注入時(shí)，僅覆蓋LED芯片陣列以及置晶區(qū)。通過使用注膠定位治具，使得封裝膠僅覆蓋于基板的置晶區(qū)，從而，在對(duì)基板的除置晶區(qū)之外的區(qū)域切割或研磨時(shí)，無需切割或研磨膠層而僅切割或研磨基板，避免了封裝膠與基板的置晶區(qū)分離的問題。 

    解決的技術(shù)問題：現(xiàn)有Micro-LED產(chǎn)品在封膠基板切割和研磨過程中存在膠層與基板分離、切割精度錯(cuò)位及基板強(qiáng)度降低的問題。

    技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)：通過設(shè)計(jì)用于封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝治具，利用注膠定位治具對(duì)封膠區(qū)域進(jìn)行內(nèi)縮，使封裝膠僅覆蓋置晶區(qū)，避免膠層與基板分離，并通過切割定位治具和研磨定位治具快速定位和處理基板的外圍部。

    技術(shù)效果：實(shí)現(xiàn)了在封裝LED結(jié)構(gòu)時(shí)無需切割或研磨膠層即可切割或研磨基板，避免了封裝膠與基板置晶區(qū)分離的問題，提高了切割和研磨的精度和效率。

    該專利可應(yīng)用到的產(chǎn)品：Micro LED芯片。