青禾晶元全球首發(fā)C2W&W2W雙�；旌湘I合設(shè)備，定義Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等領(lǐng)域先進(jìn)封裝新標(biāo)桿！

【發(fā)布會直擊】

全球首臺，獨(dú)立研發(fā)！青禾晶元開啟先進(jìn)

鍵合技術(shù)新紀(jì)元

    3月11日，青禾晶元在香港隆重舉辦新品發(fā)布會，全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB 82CWW系列震撼亮相！發(fā)布會匯聚半導(dǎo)體行業(yè)頂尖專家、學(xué)者及媒體，共同見證這一顛覆性技術(shù)的誕生。表面活化鍵合技術(shù)之父，混合鍵合技術(shù)的首次提出者須賀唯知教授也蒞臨發(fā)布會現(xiàn)場。青禾晶元作為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的核心參與者與推動者，以創(chuàng)新實(shí)力再次證明其行業(yè)引領(lǐng)地位。

【破局摩爾定律】

三維集成技術(shù)，重塑芯片未來

    隨著制程工藝不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)制程微縮面臨諸多挑戰(zhàn)。混合鍵合技術(shù)可以在三維空間重構(gòu)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)“功能拼圖”式的性能躍升，為延續(xù)摩爾定律和超越摩爾定律提供了發(fā)展路徑。青禾晶元憑借其在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，推出了SAB 82CWW系列雙模式混合鍵合設(shè)備，為半導(dǎo)體行業(yè)提供了新的解決方案。

【雙模并行，打破邊界】

    SAB 82CWW系列設(shè)備采用了全球先進(jìn)的一體化設(shè)備架構(gòu)，將C2W和W2W兩種技術(shù)路線從“非此即彼”變?yōu)椤皡f(xié)同進(jìn)化”。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅提高了設(shè)備的通用性和靈活性，還為客戶提供了更大的選擇空間，滿足了不同應(yīng)用場景的需求。

【技術(shù)領(lǐng)先，驅(qū)動行業(yè)鍵合創(chuàng)新】

    SAB 82CWW系列混合鍵合設(shè)備具備多項(xiàng)技術(shù)亮點(diǎn)：雙模工藝集成：設(shè)備采用高度靈活的模塊化設(shè)計(jì)，支持C2W和W2W雙模式混合鍵合，實(shí)現(xiàn)無縫適配研發(fā)與生產(chǎn)需求，提升設(shè)備使用率。多尺寸兼容：設(shè)備可兼容8寸和12寸晶圓，通過更換部件快速切換，提供更大的靈活性，滿足不同尺寸晶圓的鍵合需求。超強(qiáng)芯片處理能力：設(shè)備能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同時具備全尺寸兼容性，從0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可處理，保證生產(chǎn)良率和可靠性。兼容不同的對準(zhǔn)方式：提供片間同軸和紅外穿透兩種對準(zhǔn)方式，對準(zhǔn)精度優(yōu)于±300nm（同軸）和±100nm（紅外），應(yīng)對不同尺寸和材質(zhì)的芯片。創(chuàng)新的鍵合方式：通過鍵合方式創(chuàng)新，最大程度的減少顆粒污染的風(fēng)險，實(shí)現(xiàn)高良率鍵合。高精度、高效率：C2W和W2W鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)±30nm的對準(zhǔn)精度和±100nm的鍵合精度，C2W單鍵合頭UPH最高可達(dá)1000片/小時。智能化偏移補(bǔ)償：配備高精度高通量檢測模塊和內(nèi)置算法，實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋偏移補(bǔ)償，確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。

【賦能多領(lǐng)域應(yīng)用，推動行業(yè)創(chuàng)新】

    SAB 82CWW系列混合鍵合設(shè)備在存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。青禾晶元將持續(xù)深耕先進(jìn)封裝技術(shù)，以SAB 82CWW系列為起點(diǎn)，持續(xù)投入研發(fā)，推出更多滿足客戶需求的產(chǎn)品，攜手全球合作伙伴，推動半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)邁向新高度。