看！兆馳半導(dǎo)體Micro LED新動(dòng)態(tài)

    一顆單個(gè)發(fā)光單元尺寸在50μm以下的LED顯芯片，竟然被視為超高清LED新型顯示的“潛力股”？這些微小的芯片背后，究竟承載著怎樣的先進(jìn)技術(shù)？

    本周，兆馳半導(dǎo)體有公示Micro LED相關(guān)專利，讓我們一探究竟！

    一種Micro LED的封裝方法

    專利處于實(shí)質(zhì)審查階段。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)Micro LED進(jìn)行封裝時(shí)，由于熱脹冷縮原理，可能會(huì)導(dǎo)致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片發(fā)出的光達(dá)不到預(yù)期效果，從而導(dǎo)致該顆像素點(diǎn)無(wú)法使用，降低了產(chǎn)品良率的技術(shù)問(wèn)題。

    一種Micro LED外延片及其制備方法、LED芯片

    專利進(jìn)入授權(quán)階段。本發(fā)明中的Micro LED外延片，通過(guò)采用AlNbN作為第一緩沖子層材料使得具有更小的晶格失配度，能更好的起到緩沖過(guò)渡的作用，可以降低因晶格失配而產(chǎn)生的位錯(cuò)，從而提高外延層生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量；此外，AlONbN具有很低的內(nèi)應(yīng)力，采用AlONbN作為第二緩沖子層能夠調(diào)節(jié)外延層的翹曲，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的缺少一種滿足Micro LED顯示需要求的位錯(cuò)密度低、晶體質(zhì)量高、發(fā)光效率高的Micro LED外延片問(wèn)題。

    在LED微、小間距顯示領(lǐng)域的創(chuàng)新舉措和技術(shù)突破，是兆馳半導(dǎo)體積極培育新質(zhì)生產(chǎn)力的生動(dòng)體現(xiàn)。技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品出新，不僅提升了公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力，也為整個(gè)LED顯示產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支撐。

    接下來(lái)，兆馳半導(dǎo)體將繼續(xù)堅(jiān)持科技創(chuàng)新，聚焦主責(zé)主業(yè)，做強(qiáng)核心產(chǎn)品，為市場(chǎng)帶來(lái)更多高品質(zhì)、多樣化的產(chǎn)品技術(shù)解決方案，在化合物半導(dǎo)體光電領(lǐng)域LED微顯示芯片行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展中展現(xiàn)“芯”作為，發(fā)揮新優(yōu)勢(shì)。