大屏商顯行業(yè)2022年十大關(guān)鍵詞盤點(diǎn)

    關(guān)鍵詞五：“芯”突破

    在積極布局應(yīng)用端的同時，LED屏企也在持續(xù)推高技術(shù)研發(fā)的天花板。而2022年在MLED技術(shù)端的研發(fā)重點(diǎn)，則主要集中于芯片層面的新突破。

    近年來，關(guān)于MLED技術(shù)的研發(fā)，新材料的突破是一個焦點(diǎn)，典型的如氮化鎵材料直接發(fā)紅光的研究。

    據(jù)了解，目前RGB LED的三基色光中，藍(lán)、綠光芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料直接發(fā)光，而紅光芯片則仍處于第二代半導(dǎo)體砷化鎵材料。而這樣的材料組合體系，體現(xiàn)出了不匹配，紅光LED發(fā)光效率不足的行業(yè)痛點(diǎn)。

    于是，針對紅光氮化鎵的研發(fā)和突破，成為2022年行業(yè)的熱點(diǎn)。據(jù)了解，AET阿爾泰已在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了Mini LED氮化鎵紅光芯片成功點(diǎn)亮。公司旗下的“氮化鎵直接發(fā)紅光項目”，通過氮化鎵直接發(fā)出紅光，已實(shí)現(xiàn)620波長6.5%外量子效率（EQE），未來有望進(jìn)一步達(dá)到20%的外量子效率，比現(xiàn)有的砷化鎵紅光芯片實(shí)現(xiàn)更高效率，有助于推動基于氮化物Micro LED技術(shù)的新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    此外，利亞德與賽富樂斯（Saphlux）聯(lián)合開發(fā)的，行業(yè)首款采用量子點(diǎn)Micro LED芯片的顯示屏也于年內(nèi)發(fā)布。

    賽富樂斯的NPQD®技術(shù)是指基于納米孔結(jié)構(gòu)（Nanopores）的量子點(diǎn)（Quantum Dot）芯片集成技術(shù)，采用氮化鎵結(jié)合紅光量子點(diǎn)進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，規(guī)避了這一材料限制。且納米孔結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的散射效應(yīng)，能夠?qū)⒂行Ч鈴教岣?倍，出光面積提高40倍，在5微米的量子點(diǎn)厚度內(nèi)實(shí)現(xiàn)99.99%的光轉(zhuǎn)換效率，并增強(qiáng)量子點(diǎn)可靠性。該項重大技術(shù)突破將全面提速M(fèi)icro LED顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

    無論采用何種技術(shù)路線，2022年以來行業(yè)針對LED芯片層面的基礎(chǔ)性研發(fā)及突破性成果，都將有益于進(jìn)一步加快MLED技術(shù)的成熟和商業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。