氧化物TFT技術(shù)受關(guān)注 或?qū)⒂糜?D電視面板

    據(jù)報(bào)道，近來(lái)氧化物TFT制程技術(shù)逐漸受到關(guān)注，研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，韓國(guó)面板大廠三星以及日本夏普都在加快氧化物TFT量產(chǎn)進(jìn)程，預(yù)計(jì)2011年下半年到2012年，三星將會(huì)將氧化物TFT技術(shù)運(yùn)用于3D電視面板，夏普則優(yōu)先在平板裝置與智能手機(jī)面板上運(yùn)用氧化物TFT技術(shù)。

    氧化物TFT即Oxide TFT技術(shù)，主要是將原本應(yīng)用于a-Si TFT的硅材料部分置換成a-IGZO（amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物）來(lái)形成TFT，其優(yōu)勢(shì)在于光罩制程數(shù)少，成本較低溫多晶硅LTPS制程低，并且TFT基板表面平整度佳，適用于5代線以上的大尺寸基板生產(chǎn)。

    氧化物TFT技術(shù)最早由日本細(xì)野秀雄教授于1995年首次發(fā)表，2004年則由細(xì)野秀雄教授帶領(lǐng)的日本東京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表了采用IGZO薄膜制作的TFT元件。隨后，南韓、日本與臺(tái)灣相關(guān)廠商也自2006年起陸續(xù)發(fā)表采氧化物半導(dǎo)體的試制品。

    DIGITIMES Research指出，與非晶硅（a-Si）TFT相較，Oxide TFT不僅電子移動(dòng)度較高，并且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水準(zhǔn)，因此，很有機(jī)會(huì)成為新世代TFT制程技術(shù)。

    從全球各大面板廠在氧化物TFT技術(shù)發(fā)展動(dòng)向來(lái)看，氧化物TFT制程技術(shù)正逐漸在許多應(yīng)用范疇擴(kuò)散，包括AMOLED、3D面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視／數(shù)位資訊顯示器等應(yīng)用領(lǐng)域。