國星光電近日在互動平臺上表示,目前公司已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復、高可靠性封裝等Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破,Mini/Micro LED領域已申請發(fā)明專利100余件。
國星光電指出,公司最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ,像素間距300微米(P0.3),實現(xiàn)了8bit(256灰階)色深的顯示效果,同時在巨量轉移及巨量鍵合上獲得突破,其綜合良率達99.99% ,未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應用。接下來,國星光電布局深耕新型微顯示賽道,不斷開發(fā)新品提升產(chǎn)品性能,在玻璃基Micro LED技術路線方面,將重點布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表;在硅基Micro LED技術路線方面,重點布局AR顯示領域。
據(jù)悉,國星光電MiniLED背光源系列產(chǎn)品在亮度、對比度、光學厚度、色域等性能方面大大超越常規(guī)直下式背光源產(chǎn)品,為電視機、顯示器、筆記本電腦、平板電腦、車載顯示屏等多種顯示終端提供精密的光學布局,可實現(xiàn)精準背光控制。