AET阿爾泰科研｜“范德華外延”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)成功立項(xiàng)

    日前，東莞阿爾泰顯示技術(shù)有限公司 與北京大學(xué)、清華大學(xué)等院校共同開展的“新一代發(fā)光器件的應(yīng)用研究”——《基于范德華外延—?jiǎng)冸x轉(zhuǎn)印的半導(dǎo)體器件制作新方法》通過科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心立項(xiàng)評審，正式列入國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃 “變革性技術(shù)關(guān)鍵科學(xué)問題”重點(diǎn)專項(xiàng)，成為全國三十項(xiàng)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃之一，且是一項(xiàng)屬于顯示材料領(lǐng)域的研發(fā)專項(xiàng) 。

    AET阿爾泰再向Mini/Micro LED材料科研出發(fā)，助力國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)開展 ，推進(jìn)Mini/Micro LED顯示發(fā)光材料的量產(chǎn)化發(fā)展!

    《基于范德華外延—?jiǎng)冸x轉(zhuǎn)印的半導(dǎo)體器件制作新方法》由北京大學(xué)、清華大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、東北師范大學(xué)、松山湖材料實(shí)驗(yàn)室和AET阿爾泰聯(lián)合開展，匯集了骨干研究力量。團(tuán)隊(duì)依托1個(gè)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、1個(gè)國家研究中心、1個(gè)國家工程研究中心、2個(gè)“2011” 協(xié)同創(chuàng)新中心和1個(gè)教育部前沿科學(xué)中心，研究基礎(chǔ)和研究條件雄厚。

    本項(xiàng)目圍繞關(guān)鍵科學(xué)問題，研究大尺寸二維晶體過渡層上半導(dǎo)體薄膜的弱耦合生長機(jī)理，半導(dǎo)體外延層的剝離轉(zhuǎn)印技術(shù)及器件制作方法。突破現(xiàn)有襯底對寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體器件性能的限制，實(shí)現(xiàn)不依賴外延關(guān)系的襯底選擇，革新藍(lán)綠光Micro-LED、大功率射頻器件和日盲紫外探測器等半導(dǎo)體器件制作技術(shù)，為新一代電子信息系統(tǒng)的發(fā)展奠定科學(xué)基礎(chǔ)。

    目前，項(xiàng)目單位已開展初期研究，利用范德華外延技術(shù)實(shí)現(xiàn)氮化物單晶薄膜和LED結(jié)構(gòu)的制備。

    項(xiàng)目所取得的研究成果有助于實(shí)現(xiàn)顛覆性的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用 ，建立我國在寬禁帶/超寬禁帶半導(dǎo)體范德華外延/新型光電/電子器件基礎(chǔ)研究與應(yīng)用探索領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系，確立我國在二維材料、寬禁帶半導(dǎo)體等核心材料領(lǐng)域在國際上的技術(shù)優(yōu)勢，在一定程度上可填補(bǔ)上述領(lǐng)域的技術(shù)空白 。

    未來，AET阿爾泰將會(huì)盡心竭力助力Mini/Micro LED前沿科學(xué)的多項(xiàng)創(chuàng)新性研發(fā)合作項(xiàng)目開展，從前端材料的角度解決Mini/Micro LED的“卡脖子”問題，深度融合產(chǎn)學(xué)研技術(shù)創(chuàng)新體系，不斷提高核心競爭力，共同推進(jìn)Mini/Micro LED的普及應(yīng)用、可持續(xù)發(fā)展與創(chuàng)新性突破。