CEA-Leti開發(fā)用于高性能micro-LED顯示器生產(chǎn)的CMOS工藝

    法國(guó)原子能委員會(huì)電子與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（CEA-Leti）的研究人員開發(fā)出一種新工藝來生產(chǎn)高性能氮化鎵（GaN）micro-LED顯示器，研究人員稱這種顯示器比現(xiàn)有方法更簡(jiǎn)單，更有效。

    新工藝的第一步是將micro-LED芯片直接轉(zhuǎn)移到CMOS晶圓的頂部。第二步，由CMOS驅(qū)動(dòng)電路和micro-LED芯片制成的每個(gè)完整的“像素”被傳送到顯示基板。

    研究人員表示，這項(xiàng)新技術(shù)可用于制造各類micro-LED顯示器，從小型可穿戴顯示器到大型電視面板，因?yàn)镃MOS驅(qū)動(dòng)器具有高性能。單個(gè)LED-CMOS單元采用全半導(dǎo)體晶圓級(jí)方法制備，終端顯示器不需要使用薄膜晶體管（TFT），這是當(dāng)前工藝的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)。