20nm里程碑 GF安裝3D堆疊工藝相關(guān)設(shè)備

    Intel的3D晶體管工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，IBM、三星、GF參與的通用技術(shù)聯(lián)盟在三、四年后的14nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)啟用三柵極晶體管電路，但是GF也不是沒(méi)有絕招，他們?cè)诠倬W(wǎng)宣布了另一項(xiàng)3D工藝?yán)锍瘫�，將在未�?lái)的3D堆迭工藝上保持領(lǐng)先。

    位于紐約州薩拉托加城鎮(zhèn)的Fab 8晶圓廠正在安裝一種特殊的工具，它可以用來(lái)制造TSVs晶圓(Through-silicon via，貫通型晶圓通道)，有助于GF在未來(lái)的20nm工藝節(jié)點(diǎn)繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。TSV技術(shù)主要用來(lái)制造多層堆迭芯片，可以滿足未來(lái)電子設(shè)備的苛刻需求。

    簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，TSV技術(shù)可以在晶圓上蝕刻出垂直的空洞，并用銅填充，堆迭的電路就可以借助這些銅線互相連接。舉例來(lái)說(shuō)，TSV允許設(shè)計(jì)人員在處理器電路層上堆迭一層內(nèi)存電路，這樣一來(lái)處理器和內(nèi)存的連接將是芯片級(jí)的，可以極大地提高內(nèi)存帶寬并減少功耗，這對(duì)智能手機(jī)和平板來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。

    3D堆迭工藝被視為傳統(tǒng)集成電路的替代者，它的優(yōu)勢(shì)和意義不亞于Intel的3D晶體管工藝。除了工藝自身的難題之外，對(duì)新型芯片封裝技術(shù)要求也很高，晶圓廠和合作伙伴必須提供端對(duì)端的一體式解決方案才能滿足要求。

    Fab 8是GF旗下最先進(jìn)的晶圓廠，主要致力于32/28nm及以下工藝的研究和生產(chǎn)，首個(gè)使用TSV技術(shù)的Full-flow晶圓將在2012年第三季度開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)。